Dettagli:
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Luogo di origine: | Originale |
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Marca: | original |
Certificazione: | ISO9001:2015standard |
Numero di modello: | MT61K256M32JE-14-A |
Termini di pagamento e spedizione:
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Quantità di ordine minimo: | 10pcs |
Prezzo: | 12.74-14.28 USD/PCS |
Imballaggi particolari: | Norma |
Tempi di consegna: | 1-3 giorni feriali |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000pcs/months |
Informazioni dettagliate |
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Imballaggio: | vassoio | Montaggio dello stile: | SMD/SMT |
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Pacchetto/caso: | FBGA-180 | Tensione di rifornimento: | 1,3095 V-1.3905 V |
organizzazione: | 256 m. x 32 | FPQ: | 1260 |
Evidenziare: | Memoria flash del emmc di MT61K256M32JE-14-A 8gb,memoria flash 256MX32 del emmc 8gb,regolatore IC GDDR6 8G di dram |
Descrizione di prodotto
MT61K256M32JE-14: Un'archiviazione di dati originale di memoria di DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGA
Caratteristiche
• VDD = VDDQ = 1.35V ±3%, 1.25V ±3% e 1.20V – 2%/+3%
• VPP = 1.8V – 3%/+6%
• Tasso di dati: 12 Gb/s, 14 Gb/s, 16 Gb/s
• 2 canali indipendenti separati (x16)
• x16/x8 e 2 canali/pseudo configurazioni di modo del canale (PC) fissate alla risistemazione
• Singole interfacce concluse per canale per l'indirizzo di ordine (CA) ed i dati
• Input di orologio differenziale CK_t/CK_c per CA per 2 canali
• Un orologio differenziale ha introdotto WCK_t/WCK_c per canale per i dati (DQ, DBI_n, EDC)
• Doppi comando di tasso di dati (RDT)/indirizzo (CK)
• Tasso di dati del quadrato (QDR) e doppi dati di tasso di dati (RDT) (WCK), secondo frequenza operativa
• architettura di prefetch 16n con 256 bit per matrice colti o scrivere accesso
• 16 banche interne
• 4 gruppi di banca per tCCDL = 3tCK e 4tCK
• Latenza COLTA programmabile
• Programmabile SCRIVA la latenza
• Scriva la funzione della maschera di dati tramite bus di CA con singola e doppia granularità della maschera di byte
• Inversione del canale omnibus di dati (DBI) ed inversione del bus di CA (CABI)
• Ingresso/uscita PLL
• Addestramento del bus di CA: Monitoraggio dell'input di CA via i segnali di DQ/DBI_n/EDC
• Addestramento dell'orologio di WCK2CK con le informazioni di fase via i segnali di EDC
• I dati leggono e scrivono l'addestramento via FIFO colto (profondità = 6)
• Integrità lettura /scrittura della trasmissione dei dati assicurata dal controllo a ridondanza ciclica
• Il CRC programmabile HA LETTO la latenza
• Il CRC programmabile SCRIVE la latenza
• Modello programmabile della tenuta di EDC per CDR
• Modo di RDQS sui perni di EDC
DRAM | |
RoHS: | Dettagli |
SGRAM - GDDR6 | |
SMD/SMT | |
FBGA-180 | |
bit 32 | |
256 m. x 32 | |
8 Gbit | |
1,75 gigahertz | |
1,3905 V | |
1,3095 V | |
0 C | |
+ 95 C | |
MT61K | |
Vassoio | |
Marca: | Originale in azione |
Umidità sensibile: | Sì |
Tipo di prodotto: | DRAM |
Quantità del pacchetto della fabbrica: | 1260 |
Sottocategoria: | Memoria & archiviazione di dati |
Peso specifico: | 0,194430 once |
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