Chip di memoria 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V di SRAM 2Mb EMMC

Descrizione di prodotto

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

CARATTERISTICHE

• Tempo di accesso ad alta velocità: 8, 10 NS

• Corrente di funzionamento: 50mA (tipo.)

• Corrente standby: 700µA (tipo.)

• Perni concentrare multipli di messa a terra e di potere per maggior immunità di rumore

• Espansione di memoria facile con le opzioni di OE e del CE

• Il CE spegne

• Input ed uscite compatibili di TTL

• Singola alimentazione elettrica 3.3V

• Pacchetti disponibili: – pin 36 un SOJ da 400 mil – 44 perno TSOP (tipo II)

• Disponibile senza piombo

DESCRIZIONE

Il ISSI IS61LV2568L è molto un ad alta velocità, il potere basso, la parola 262.144 dall'8 bit il CMOS RAM statico. Il IS61LV2568L è fabbricato facendo uso della tecnologia CMOS ad alto rendimento di ISSI.

Questo processo altamente affidabile accoppiato con le tecniche di progettazione innovarici del circuito, rende i dispositivi del basso consumo energetico e di rendimento elevato. Quando il CE è SU (deselezionato), il dispositivo presuppone una modalità standby a cui la dissipazione di potere può essere ridotta giù a 36mW (massimo) con i livelli di ingresso di CMOS.

Il IS61LV2568L funziona a partire da una singola alimentazione elettrica 3.3V e tutti gli input sono TTL-compatibili. Il IS61LV2568L è disponibile in 36 pin un SOJ da 400 mil e 44 perno TSOP (tipo pacchetti di II).