Descrizione di prodotto
BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET BSZ100N03MS GSP000311510 MSP430F5514IRGCT LPC812M101JD20 Semiconduttori discreti
MOSFET
MOSFET di potenza serie M OptiMOS TM3, 30 V
Caratteristiche
●Ottimizzato per applicazione driver 5V (Notebook, VGA, POL)
●FOMQsw basso per SMPS ad alta frequenza
100% testato contro le valanghe
●N-canale
●Resistenza molto bassa Ros(on) @ Vcs=4,5 V
●Eccellente carica di gate x prodotto Ros(on) (FOM)
●Qualificato secondo JEDEC" per applicazioni target
● Resistenza termica superiore
● placcatura Pb-free;A norma RoHS
●Senza alogeni secondo IEC61249-2-21
| Categoria di prodotto: |
MOSFET |
|
SMD/SMT |
|
TSDSON-8 |
|
Canale N |
|
1 canale |
|
30 V |
|
40 A |
|
7,3 mOhm |
|
-20V, +20V |
|
1 v |
|
23 nC |
|
- 55 C |
|
+ 150 C |
|
30 W |
|
Aumento |
|
Bobina |
|
Tagliare il nastro |
| Configurazione: |
Separare |
| Tempo di caduta: |
2,4 n |
| Transconduttanza diretta - Min: |
26 S |
| Altezza: |
1,1 mm |
| Lunghezza: |
3,3 mm |
| Tipologia di prodotto: |
MOSFET |
| Ora di alzarsi: |
2,8 n |
| Serie: |
OptiMOS 3M |
|
5000 |
| Sottocategoria: |
MOSFET |
| Tipo di transistor: |
1 canale N |
| Ritardo di spegnimento tipico: |
16 n |
| Tipico tempo di ritardo all'accensione: |
3,8 n |
| Larghezza: |
3,3 mm |
| Parte # Alias: |
BSZ100N03MS G SP000311510 |
| Unità di peso: |
0,001367 once |
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Vantaggi aziendali
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Consulenza professionale: Hanna
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