Archiviazione di dati magnetoresistente di memoria di memoria ad accesso casuale MRAM di MR0A08BCYS35 MRAM

Descrizione di prodotto

MR0A08BCYS35 archiviazione di dati magnetoresistente di memoria di memoria ad accesso casuale (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35

BENEFICI DELLE CARATTERISTICHE

• Una memoria sostituisce il FLASH, SRAM, EEPROM e MRAM nel sistema per progettazione più semplice e più efficiente

• Migliora l'affidabilità sostituendo da SRAM sostenuto da batteria

• Alimentazione elettrica di 3,3 volt

• Velocemente ciclo lettura /scrittura di 35 NS

• Sincronizzazione compatibile di SRAM

• Non volatilità indigena

• Colta illimitata & scrivere resistenza

• Dati sempre non volatili per gli anni >20 alla temperatura

• Temperature commerciali ed industriali

• Tutti i prodotti incontrano il livello della sensibilità di umidità MSL-3

• Pacchetti RoHS-compiacenti di BGA e di TSOP2

BENEFICI

• Una memoria sostituisce il FLASH, SRAM, EEPROM e MRAM nel sistema per progettazione più semplice e più efficiente

• Migliora l'affidabilità sostituendo da SRAM sostenuto da batteria