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Casa ProdottiChip del circuito integratoMemoria a semiconduttore S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit né interfaccia parallela istantanea
S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface
S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface

Memoria a semiconduttore S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit né interfaccia parallela istantanea

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Marca: Original
Certificazione: ISO9001:2015standard
Numero di modello: S29GL01GS10TFI010
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10PCS
Prezzo: $12.5-16.5/PC
Imballaggi particolari: Norma
Tempi di consegna: 1-3workdays
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione: 10000pcs/months
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  • Informazioni dettagliate
  • Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate
Stile dell'installazione: SMD/SMT Pacchetto/caso: TSOP-56
Capacità di stoccaggio: 1 Gbit Tipo di prodotto: NÉ istantaneo
Peso specifico: 17.214g
Evidenziare:

S29GL01GS10TFI010 memoria IC

,

TSOP-56 memoria IC

,

Né memoria flash IC

Descrizione di prodotto

Memoria a semiconduttore S29GL01GS10TFI010 IC NÉ parallelo dell'ISTANTANEO 1G 3V 100NS NÉ circuiti integrati istantanei

 

Specifiche:

Capacità di memoria: 1 Gbit
Tensione di rifornimento - min: 2,7 V
Tensione di rifornimento - massima: 3,6 V
Tipo di interfaccia: Parallelo
Organizzazione: 64 m. x 16
Larghezza del canale omnibus di dati: bit 16
Tipo cronometrante: Asincrono
Temperatura di funzionamento minima: - 40 C
Temperatura di funzionamento massima: + 85 C
Imballaggio: Vassoio
Architettura: Eclissi
Tipo di memoria: NÉ
Umidità sensibile: Sì
Velocità: 100 NS
Quantità del pacchetto della fabbrica: 910
Sottocategoria: Memoria & archiviazione di dati
Corrente del rifornimento - massima: 60 mA

 

 

Caratteristiche distintive

 

 CMOS il centro di 3,0 volt con ingresso/uscita versatile

tecnologia di eclissi di nanometro MirrorBit del  65

la semplice alimentazione del  (VCC) per colto/programma/cancella (2,7 V a 3,6 V)

caratteristica versatile dell'ingresso/uscita del  – ampia gamma di tensione dell'ingresso/uscita (VIO): 1,65 V a VCC

canale omnibus di dati del  ×16

una pagina asincrona da 32 byte del  ha letto

 un amplificatore di programmazione da 512 byte – programmando nei multipli della pagina, fino ad un massimo di 512 byte

parola singola del  e programma multiplo sulle stesse opzioni di parola

verifica degli errori del  e correzione automatiche (CEE) – CEE interne dell'hardware con il singolo pezzo correttivo

il settore del  cancella – l'uniforme 128 settori del kbyte

il  sospende e riprende i comandi per il programma e cancella le operazioni.

Memoria a semiconduttore S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit né interfaccia parallela istantanea 0

 

 

 

 

Prodotto Tag:

SN74AC00DR 2 Nand Gate introdotto

Chip del circuito integrato di SN74LV4040ADR

Circuiti logici SN74AC00DR

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