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Casa ProdottiChip del circuito integratoTransistor discreti a semiconduttore di IPB200N25N3G originali e nuovo MOSFET
IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET
IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET IPB200N25N3G Semiconductors Discrete Transistors Original And New MOSFET

Transistor discreti a semiconduttore di IPB200N25N3G originali e nuovo MOSFET

Dettagli:
Luogo di origine: originale
Marca: Original
Certificazione: ISO9001:2015standard
Numero di modello: IPB200N25N3G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact us to win best offer
Imballaggi particolari: Norma
Tempi di consegna: 1-3workdays
Termini di pagamento: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione: 10000pcs/months
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  • Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate
Pacchetto: TO-263-3 D/C: Il più nuovo
CIRCOSTANZA: Nuovissimo ed originale termine d'esecuzione: in azione
Montaggio dello stile: SMD/SMT
Evidenziare:

Transistor discreti a semiconduttore

,

Transistor di potenza IPB200N25N3G del Mosfet

,

1 transistor di potenza del Mosfet di Manica di N

Descrizione di prodotto

Attributo di prodotto Valore di attributo
MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Manica
1 Manica
250 V
64 A
mOhms 17,5
- 20 V, + 20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Potenziamento
OptiMOS
Bobina
Tagli il nastro
MouseReel
Configurazione: Singolo
Tempo di caduta: 12 NS
Transconduttanza di andata - min: 61 S
Altezza: 4,4 millimetri
Lunghezza: 10 millimetri
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di aumento: 20 NS
Serie: OptiMOS 3
1000
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 N-Manica
Tipo: Transistor di potenza di OptiMOS 3
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: 45 NS
Tempo di ritardo d'apertura tipico: 18 NS
Larghezza: 9,25 millimetri
Parte # pseudonimi: SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
Peso specifico: 0,139332 once

Prodotto Tag:

SN74AC00DR 2 Nand Gate introdotto

Chip del circuito integrato di SN74LV4040ADR

Circuiti logici SN74AC00DR

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