+37 dBm IIP3
•
Nessun elementi di corrispondenza esterni
Richiesto
•
Rf 1850-1990 megahertz
•
LO 1700-1940 megahertz
•
SE 50-150 megahertz
•
livello dell'azionamento di +17 dBm
•
polarizzazione di +3V (25 mA)
•
Costo il J-cavo di superficie del supporto
Pacchetto
Diagramma funzionale
18 17 16 15 14 13 12 11 10
123456 789
Funzione Pin No.
Terra
1
SE
2
Terra
3-7
CC di +3V
8
Terra
9
Funzione Pin No.
Terra
10
LO
11
Terra
12-16
Rf
17
Terra
18
Miscelatore del FET di High Dynamic Range
Valutazioni massime assolute
Parametro
Valutazione
Temperatura di caso di funzionamento
-40 a +85°C
Temperatura di stoccaggio
-65 a +100°C
Alimentazione in ingresso entrata massima
dBm 25
1. Il funzionamento di questo dispositivo sopra qualcuno di questi parametri può causare il danno permanente.
2. La somma totale di potere del porto di LO e del porto di rf non dovrebbe superare il dBm 25.
Informazioni di ordinazione
Numero del pezzo.
Descrizione
HMJ2
Miscelatore del FET di High Dynamic Range
(Disponibile in nastro ed in bobina)
HMJ2-PCB
Circuito completamente montato di applicazione
Specifiche
Parametro
Unità
Minimo
Tipico
Massimo
Circostanza
Gamma di frequenza:
Rf megahertz
1850
1990
LO
Megahertz
1700
1940
SE
Megahertz
50
150
Perdita di conversione di SSB
dB
9,0
10,3
Figura di rumore
dB
10,5
Isolamento:
LO-RF
dB
17
32
LO-IF
dB
22
29
RF-IF
dB
15
IIP3
dBm
32
37
Rf = 1900 megahertz (0dBm)
Attenuazione di riflessione:
Porto di rf
dB
12
Porto di LO
dB
10
SE porto
dB
14
P1dB introdotto
dBm
23
Livello dell'azionamento di LO
dBm
17
Corrente di CC a polarizzazione di +3V
mA
25
35
Condizioni di prova salvo indicazioni contrarie: Rf = 1900 megahertz (- dBm 10), LO = 1800 megahertz (dBm 17), SE = 100 megahertz e ̊C 25.
Le comunicazioni orlano
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