Walton Electronics Co., Ltd.

Transistor bipolari 18.8dB dei transistor rf di ASI MRF9045LR1

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: ISO9001:2015standard
Numero di modello: MRF9045LR1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10pcs
Prezzo: 9.43-9.88SD/PCS
Imballaggi particolari: Norma
Tempi di consegna: 2-3 giorni feriali
Termini di pagamento: L/C, Western Union, palpay
Capacità di alimentazione: 1000PCS/Months
  • Informazioni dettagliate
  • Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Nome di prodotto: MRF9045LR1 Categoria di prodotto: Transistor bipolari di rf
Tecnologia: Si Tipo di prodotto: Transistor bipolari di rf
Guadagno: 18.8dB Montaggio dello stile: SMD/SMT
Evidenziare:

Transistor bipolari di MRF9045LR1 rf

,

Transistor bipolari 18.8dB di rf

,

ASI MRF9045LR1

Descrizione di prodotto

Originale bipolare di si dei transistor di MRF9045LR1TRANSISTORS rf in azione

 

Il ASI MRF9045LR1 è un'alta tensione, d'oro metallizzata,

semiconduttore ad ossido-metallo lateralmente diffuso. Ideale per odierno

 Applicazioni dell'amplificatore di potenza di rf.

 

Transistor bipolari 18.8dB dei transistor rf di ASI MRF9045LR1 0

 

Transistor del MOSFET di rf
RoHS: Dettagli
N-Manica
Si
4,25 A
65 V
945 megahertz
dB 18,8
60 W
SMD/SMT
NI-360
Vassoio
Configurazione: Singolo
Transconduttanza di andata - min: 3 S
Palladio - dissipazione di potere: 117 W
Tipo di prodotto: Transistor del MOSFET di rf
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo: MOSFET di potere di rf
Vgs - tensione di Portone-fonte: 15 V
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 4,8 V
Peso specifico: 0,032480 once
Due tipici
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
dBc 32
Protezione integrata di ESD
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
Stabilità termica eccellente
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
Parametri di impedenza del segnale
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
Due tipici
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
dBc 32
Protezione integrata di ESD
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
Stabilità termica eccellente
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
Parametri di impedenza del segnale
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
Due tipici
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
dBc 32
Protezione integrata di ESD
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
Stabilità termica eccellente
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
Parametri di impedenza del segnale
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
Due tipici
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
dBc 32
Protezione integrata di ESD
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
Stabilità termica eccellente
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
Parametri di impedenza del segnale
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
1
Dati del dispositivo di rf
Semiconduttore di Freescale
Transistor di effetto di campo di potere di rf
N
Potenziamento di Manica
MOSFETs laterali di modo
Progettato
per le applicazioni commerciali ed industriali a banda larga con frequen-
cies fino a 1000 megahertz. Alto GA
in e prestazione a banda larga di questi
i dispositivi li rendono ideali per grande
segnale, comune
applica- dell'amplificatore di fonte
tions in attrezzatura della stazione base da 28 volt.
Due tipici
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
dBc 32
Protezione integrata di ESD
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
Stabilità termica eccellente
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
Parametri di impedenza del segnale
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nessun

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