Descrizione di prodotto
Originale bipolare di si dei transistor di MRF9045LR1TRANSISTORS rf in azione
Il ASI MRF9045LR1 è un'alta tensione, d'oro metallizzata,
semiconduttore ad ossido-metallo lateralmente diffuso. Ideale per odierno
Applicazioni dell'amplificatore di potenza di rf.
|
Transistor del MOSFET di rf |
RoHS: |
Dettagli |
|
N-Manica |
|
Si |
|
4,25 A |
|
65 V |
|
945 megahertz |
|
dB 18,8 |
|
60 W |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
Vassoio |
Configurazione: |
Singolo |
Transconduttanza di andata - min: |
3 S |
Palladio - dissipazione di potere: |
117 W |
Tipo di prodotto: |
Transistor del MOSFET di rf |
Sottocategoria: |
MOSFETs |
Tipo: |
MOSFET di potere di rf |
Vgs - tensione di Portone-fonte: |
15 V |
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: |
4,8 V |
Peso specifico: |
0,032480 once |
Due tipici•
−
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protezione integrata di ESD
•
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
•
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
•
Stabilità termica eccellente
•
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
−
Parametri di impedenza del segnale
•
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
•
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
•
Due tipici
−
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protezione integrata di ESD
•
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
•
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
•
Stabilità termica eccellente
•
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
−
Parametri di impedenza del segnale
•
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
•
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
•
Due tipici
−
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protezione integrata di ESD
•
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
•
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
•
Stabilità termica eccellente
•
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
−
Parametri di impedenza del segnale
•
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
•
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
•
Due tipici
−
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protezione integrata di ESD
•
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
•
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
•
Stabilità termica eccellente
•
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
−
Parametri di impedenza del segnale
•
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
•
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Dati del dispositivo di rf
Semiconduttore di Freescale
Transistor di effetto di campo di potere di rf
N
−
Potenziamento di Manica
−
MOSFETs laterali di modo
Progettato
per le applicazioni commerciali ed industriali a banda larga con frequen-
cies fino a 1000 megahertz. Alto GA
in e prestazione a banda larga di questi
i dispositivi li rendono ideali per grande
−
segnale, comune
−
applica- dell'amplificatore di fonte
tions in attrezzatura della stazione base da 28 volt.
•
Due tipici
−
Tone Performance a 945 megahertz, 28 volt
Di PEP dell'uscita 45 watt elettrici
Guadagno di potere — dB 18,8
Efficienza — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protezione integrata di ESD
•
Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno
•
Capace di trattamento del 10:1 VSWR, @ 28 VCC, 945 megahertz, 45 watt di CW
Potenza di uscita
•
Stabilità termica eccellente
•
Caratterizzato con l'equivalente di serie grande
−
Parametri di impedenza del segnale
•
In nastro ed in bobina. Suffisso R1 = 500 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.
•
Spessore basso di doratura sui cavi. La L suffisso indica 40
′ del ′ del μ
Nessun