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Casa ProdottiChip di IC del transistortransistor di giunzione bipolare 2N3439 IC Chip Through Hole TO393
2N3439 Bipolar Junction Transistor IC Chip Through Hole TO393
2N3439 Bipolar Junction Transistor IC Chip Through Hole TO393

transistor di giunzione bipolare 2N3439 IC Chip Through Hole TO393

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: ISO9001:2015standard
Numero di modello: 2N3439
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10pcs
Prezzo: Contact us to win best offer
Imballaggi particolari: Norma
Tempi di consegna: 1-3 giorni feriali
Termini di pagamento: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione: 10000pcs/mesi
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  • Informazioni dettagliate
  • Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate
Montaggio dello stile: Attraverso il foro Pacchetto/caso:: TO-39-3
Imballaggio:: Massa Sottocategoria:: EEPROM
Sottocategoria: Transistor Palladio - dissipazione di potere:: 800 Mw
Evidenziare:

transistor di giunzione bipolare 2N3439

,

transistor di giunzione bipolare attraverso il foro TO393

,

chip di IC del transistor 2N3439

Descrizione di prodotto

transistor bipolari a semiconduttore discreti 2N3439 attraverso il foro TO-39-3

 

transistor di giunzione bipolare 2N3439 IC Chip Through Hole TO393 0

 

 

Produttore: originale
Categoria di prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS: N
Montaggio dello stile: Attraverso il foro
Pacchetto/caso: TO-39-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima: 350 V
Tensione di base VCBO del collettore: 450 V
Tensione emittenta-base VEBO: 7 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 500 sistemi MV
Corrente di collettore massima di CC: 1 A
Palladio - dissipazione di potere: 800 Mw
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno: -
Temperatura di funzionamento minima: - 65 C
Temperatura di funzionamento massima: + 200 C
Imballaggio: Massa
Marca: originale
Tipo di prodotto: BJTs - transistor bipolari
Quantità del pacchetto della fabbrica: 1
Sottocategoria: Transistor
Tecnologia: Si
Peso specifico: 0,213044 once

Prodotto Tag:

Semiconduttore discreto 625mW di BJT

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