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April 28, 2022
Transistor complementari di Darlington di potere di bassa tensione
CARATTERISTICHE
• Tensione di saturazione bassa dell'collettore-emettitore
• NPN complementare - transistor di PNP
Applicazione
• Lineare per tutti gli usi e commutare
Descrizione
I dispositivi sono fabbricati nella tecnologia planare con «la disposizione dell'isola bassa» e la configurazione monolitica di Darlington. I transistor risultanti mostrano l'alta prestazione eccezionale di guadagno accoppiati con tensione di saturazione molto bassa.
| Darlington Transistors | |
| RoHS: | Dettagli |
| Singolo | |
| PNP | |
| 100 V | |
| 5 V | |
| 100 V | |
| 5 A | |
| 200 uA | |
| Attraverso il foro | |
| TO-220-3 | |
| + 150 C | |
| TIP127 | |
| Metropolitana | |
| Collettore di CC/min basso del hfe di guadagno: | 1000 |
| Altezza: | 9,15 millimetri |
| Lunghezza: | 10,4 millimetri |
| Tipo di prodotto: | Darlington Transistors |
| Quantità del pacchetto della fabbrica: | 1000 |
| Sottocategoria: | Transistor |
| Larghezza: | 4,6 millimetri |
| Peso specifico: | 6 g |
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